مرور محصولات بر اساس...

پارامترهای انتخاب شده

  • بازه قیمت: از 1,900 تا 30,610,000 ریال

پارامترهای قابل انتخاب

پر بازدیدترین محصولات
2CL75
36,930 ریال
آردوینو مگا 2560 - Genuino MEGA R3
لطفاً تماس بگیرید
Raspberry Pi
45,000,000 ریال
20F001N
72,270 ریال

Mosfet

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)

STW11NB80

N-MOS,800V,11A,190W,0.65 ohm

STW11NB80

N-MOS,800V,11A,190W,0.65 ohm

STW11NK100Z

N-MOS,1000V,8.3A,230W,1.1 ohm

STW12NK90

N-channel 900V - 0.72ظ - 11A - TO-247 Zener-

STW13NK60Z

N-MOS,600V,13A,150W,0.55 ohm

STW15NK90Z

N-MOS,900V,15A,350W,0.55ohm,27nS

STW26NM50

N-CHANNEL 500V , 30A ,313W,0.12ohm,15nS

STW34NB20

N-MOS,200V,34A,180W,0.075 ohm

STW38NB20

N-MOS,200V,38A,180W,0.065 ohm

STW45NM60

N-MOSFET,650V,0.011Ohm ,45A, 417W

STW60NE10

N - CHANNEL 100V - 0.016- 60A

STW7NB80

N-MOS,800V,6.5A,160W,1.9 OHM

STW8NB100

N-MOS,1000V,7.3A,190W,1.3ohm

SUP18N15-95

N-MOS,150V,18A,88W,0.095 ohm

SUP60N06-18

N-MOS,60V,60A,120W.18m ohm

TK13A60D

http://toshiba.semicon-storage.com/info/docge

TN0106N3-G

N-MOS,60V,2A,1W,2 ohm

TN0201L

N-MOS,20V,0.64A,0.8W

TP0610KL

http://www.vishay.com/docs/72712/72712.pdf

VN0106N3

N-MOS,60V,2A,1W,3 ohm

VN0109N3

N-MOS,90V,2A,1W,3 ohm

VN0300L

N-MOS,30V,640mA,3.3 ohm

VN0606L-G

N-MOS 60V,0.33A,3Ohm ,1W,10nS

VN0645N2

N-MOS,450V,0.5A,6W,16 ohm

VN10KE

N-MOS,60V,0.17A,312.5mW,

VN10KLS

www.mouser.com/ProductDetail/Vishay-Siliconix

VN1206M

N-MOS,120V,1A,6ohm,8nS

VNP10N07-E

N-MOS,70V,10A,50W,0.1 ohm