مرور محصولات بر اساس...

پارامترهای انتخاب شده

  • بازه قیمت: از 1,900 تا 30,610,000 ریال

پارامترهای قابل انتخاب

پر بازدیدترین محصولات
2CL75
36,930 ریال
آردوینو مگا 2560 - Genuino MEGA R3
لطفاً تماس بگیرید
Raspberry Pi
45,000,000 ریال
20F001N
72,270 ریال

Mosfet

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)

IXFX48N60P

N-MOS,600V,48A,830W,135m ohm

SKM214A

IGBT-100V,125A,400W,190nS

IXTK40P50P

P-MOS,500V,40A,890W,230m ohm

IPW65R019C7

CoolMOS C7, 650V, Power MOSFET

IXFN420N10T

GigaMOSTM Trench HiperFETTM Power MOSFET

IXFK230N20T

N-MOSFET,200V,230A,7.5m ohm,200ns,1670 W

APT10050LVR

N-MOS,100V,21A ,520W

IXBF9N160G

http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheets/10

IXFN50N80Q2

N-MOS,800V,50A,1135W,160m ohm

APT12031JFLL

1200V,30A,0.33ohm

IRF2804L

N-MOS,40V,75A,330W,2m Ohm

IXTH13N110

N-MOS,1100V,13A,360W,0.92 ohm

PM50502C

N-M0S,500V,50A,300W,120m OHM

IXFN27N80Q

N-MOS,800V,27A,520W,0.3 ohm

IRF2804L

N-MOS,40V,75A,330W,2m Ohm

FCH041N60F

MOSFET 600V N-Channel MOSFET, FRFET

FDL100N50F

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDL100N50F

IXFK80N60P3

N-MOSFET,600V,80A,70m ohm,250ns,1300 W

SD214DE

ماسفت منفي20ولت50ميلي آمپر300ميلي وات

IXTQ44N50P

N-MOS,500V,44A,650W,140m ohm

APT5010BVR

N-MOS,500V,47A,520W,0.1 ohm

IPW65R080CFD

CoolMOS™ CFD Power Transistor,650V ,10A, 0.08

APT5010LVR

N-MOS,500V,47A,520W,0.1 ohm

IXFK48N50

N-MOS,500V,48A,500W,0.1 ohm

STE38NA50

N-MOS,500V,38A,400W,0.11 Ohm
قیمت: 2,257,600 ریال

PSMN017-80PS

N-MOS,80V,50A,103W,17m ohm

VN10KE

N-MOS,60V,0.17A,312.5mW,

APT5025AN

N-MOS,450V,20A,230W,0.25 ohm