مرور محصولات بر اساس...

پارامترهای انتخاب شده

  • بازه قیمت: از 1,900 تا 30,610,000 ریال

پارامترهای قابل انتخاب

پر بازدیدترین محصولات
2CL75
36,930 ریال
آردوینو مگا 2560 - Genuino MEGA R3
لطفاً تماس بگیرید
Raspberry Pi
45,000,000 ریال
20F001N
72,270 ریال

Mosfet

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)

IRL510

N-LOGL,100V,5.6A,43W,0.54 ohm

IRLU024N

N-MOS,55V,17A,45W,0.075 OHM

IRLZ44NPBF

MOSFET MOSFT 55V 41A 22mOhm 32nC LogLvlAB

IRSF3010

N-MOS,50V,11A,40W,80m ohm

IXBF9N160G

http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheets/10

IXFH13N80

N-MOS,800V,13A,300W,0.8 ohm,33nS

IXFH26N50

N-MOS,500V,26A,300W,0.2 ohm,33nS

IXFK230N20T

N-MOSFET,200V,230A,7.5m ohm,200ns,1670 W

IXFK24N100

N-MOS,1000V,24A,560W,0.39 ohm

IXFK44N50

N-MOS,500V,44A,500W,0.12 ohm

IXFK44N50

N-MOS,500V,44A,500W,0.12 ohm

IXFK48N50

N-MOS,500V,48A,500W,0.1 ohm

IXFK80N60P3

N-MOSFET,600V,80A,70m ohm,250ns,1300 W

IXFN27N80Q

N-MOS,800V,27A,520W,0.3 ohm

IXFN420N10T

GigaMOSTM Trench HiperFETTM Power MOSFET

IXFN50N80Q2

N-MOS,800V,50A,1135W,160m ohm

IXFX160N30T

N-MOS,300V,160A,1390W,19m ohm

IXFX20N120

N-MOS,1200V,20A,780W,750m Ohm

IXFX27N80Q

http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf

IXFX32N50

N-MOS,500V,32A,416W,0.15 ohm

IXFX48N60P

N-MOS,600V,48A,830W,135m ohm

IXFX80N60P3

N-MOSFET,600V,80A,70m ohm,250ns,1300 W

IXTH13N110

N-MOS,1100V,13A,360W,0.92 ohm

IXTK40P50P

P-MOS,500V,40A,890W,230m ohm

IXTM11N80

N-MOS,800V,11A,300W,0.95 ohm

IXTP140P05T

http://www.mouser.com/ProductDetail/IXYS/IXTP