مرور محصولات بر اساس...

پارامترهای انتخاب شده

  • بازه قیمت: از 1,900 تا 30,610,000 ریال

پارامترهای قابل انتخاب

پر بازدیدترین محصولات
2CL75
36,930 ریال
آردوینو مگا 2560 - Genuino MEGA R3
لطفاً تماس بگیرید
Raspberry Pi
45,000,000 ریال
20F001N
72,270 ریال

Mosfet

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)

IHW40T120

IGBT-1200V,40A,270W

IXFK44N50

N-MOS,500V,44A,500W,0.12 ohm

SPW17N80C3

MOSFET COOL MOS PWR TRANS 800V

IRFB17N50

N-MOS,500V,16A,220W,0.28 ohm

APT6030BVR

N-MOS,600V,21A,300W,0.3 ohm

IRFP4368PBF

MOSFET MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg

IXFK24N100

N-MOS,1000V,24A,560W,0.39 ohm

IXTM11N80

N-MOS,800V,11A,300W,0.95 ohm

2SK1835

N-MOS,1500V,4A,125W,97 ohm

STW11NK100Z

N-MOS,1000V,8.3A,230W,1.1 ohm

STW13NK60Z

N-MOS,600V,13A,150W,0.55 ohm

DN2540N3-G

N-MOS,400V, 120mA, 1W, 25 ohm,15nS

2SK1489

N-MOS,1000V,12A,200W,0.8 ohm

IXFX160N30T

N-MOS,300V,160A,1390W,19m ohm

FQA13N80

N-MOS,800V,12.6A.300W,0.75 ohm

SPW35N60C3

N-MOS,650V,34.6A,313W,0.1 ohm

3SK14

N CHANNEL MOS TRANSISTOR

IXTX24N100

N-MOS,1000V,24A,360W,0.4ohm,35nS

IXTX24N100

N-MOS,1000V,24A,360W,0.4ohm,35nS

APT10040B2VFR

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_

2SK2225-E

N-MOS,1500V,2A,50W,9ohm,50nS

BUK9575-100A

N-MOS,100V, 23A, 98W,72m Ohms ,57nS

2SK3131

N-MOS,500V,50A,250W,0.11 ohm

VP0645N2

P-MOS,450V,0.5A,6W,30 ohm

IXFK44N50

N-MOS,500V,44A,500W,0.12 ohm

SPW47N60C3

N-MOS,650V, 47A,415W, 0.07 ohm,27nS

APT12040L2FLL

1200V,30A,0.400ohm

IXFX80N60P3

N-MOSFET,600V,80A,70m ohm,250ns,1300 W