مرور محصولات بر اساس...

پارامترهای انتخاب شده

  • بازه قیمت: از 1,900 تا 30,610,000 ریال

پارامترهای قابل انتخاب

پر بازدیدترین محصولات
2CL75
36,930 ریال
آردوینو مگا 2560 - Genuino MEGA R3
لطفاً تماس بگیرید
Raspberry Pi
45,000,000 ریال
20F001N
72,270 ریال

Mosfet

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)

FDA59N25

http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf

SPP35N10

MOSFET N-CH 100V 35A

BUZ305

N-MOS,800V,7.5A,150W,1 ohm

IRF1405PBF

N-MOS,55V,169A,330W,5.3m ohm

IRF2804PBF

N-MOS,40V,75A,330W,2m Ohm

IRFB3077PBF

HEXFET Power MOSFET

2SK2698

http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/tos

2N6845

P-MOS,100V,4A,20W

VN10KLS

www.mouser.com/ProductDetail/Vishay-Siliconix

2SK1413

N-MOS,1500V,2A,3W

IRF5210PBF

ترانزيستور مثبت 100 ولت 40 آمپر 200 وات

4AK19

N-MOS,120V,5A,28W,0.6 ohm

STW26NM50

N-CHANNEL 500V , 30A ,313W,0.12ohm,15nS

FDP3632

N-MOS,100V,80A,310W,9m OHM

IRFP4232PBF

N-MOS,250V,117A,430W,30m ohm

IRFB4332PBF

PDP SWITCH;Advanced Process Technology

MTP3N60E

TMOS POWER FET 3.0A 600V RDS(ON)=2,2OHMS

STW60NE10

N - CHANNEL 100V - 0.016- 60A

FQPF4N90C

N-MOS,900V,4A,47W,4.2ohm,50nS

IRFP360

400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in

FQA38N30

N-MOS,300V,38.4A,290W,0.085ohm

2SK1120

N-MOS,1000V,8A,150W,1.5 ohm

IRFP3206PBF

N-MOS,60V,200A,280W,2.4m ohm

TN0106N3-G

N-MOS,60V,2A,1W,2 ohm