مرور محصولات بر اساس...

پارامترهای انتخاب شده

  • بازه قیمت: از 1,900 تا 30,610,000 ریال

پارامترهای قابل انتخاب

پر بازدیدترین محصولات
2CL75
36,930 ریال
آردوینو مگا 2560 - Genuino MEGA R3
لطفاً تماس بگیرید
Raspberry Pi
45,000,000 ریال
20F001N
72,270 ریال

Mosfet

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)

IXTQ44N50P

N-MOS,500V,44A,650W,140m ohm

IXTX24N100

N-MOS,1000V,24A,360W,0.4ohm,35nS

IXTX24N100

N-MOS,1000V,24A,360W,0.4ohm,35nS

J201

N-MOS,40V,50mA,350W

LND150N3

N-MOS,500V,30mA,1W,1k ohm

MPF990

http://html.alldatasheet.com/html-pdf/5099/MO

MTH7N50

N-MOS ,500V , 7A

MTP2955V

http://www.ozitronics.com/data/mtp2955.pdf

MTP2P50E

N-MOS,500V,2A,75W,6 ohm

MTP3055E

http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf

MTP3N120

N-MOS,1200V,3A,125W,5 ohm

MTP3N60E

TMOS POWER FET 3.0A 600V RDS(ON)=2,2OHMS

MTP8P10

N-MOS,100V,8A,75W,0.4 ohm

MTW32N20E

MOSFET 200V 32A N-Channel

NDP6020P

ترانزيستور منفي 20 ولت 24 آمپر 60 وات

NDP6030PL

ترانزيستور منفي 30 ولت 30 آمپر 75 وات

NDP6060

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Trans

NTD4909N-1G

N-MOS,30V,41A,2.6W,8M OHM

PHP32N06LT

N-MOS,60V,34A,97W,40m ohm

PM50502C

N-M0S,500V,50A,300W,120m OHM

PSMN015-100P

N-MOS,100V,75A,300W,15m ohm

PSMN017-80PS

N-MOS,80V,50A,103W,17m ohm

PSMN050-80PS

N-MOS,80V,22A,50m ohm

RFD14N05L

N-MOS,50V,14A,48W,0.1 ohm

RFD14N05L

N-MOS,50V,14A,48W,0.1 ohm

RFP10N15

N- MOS; 10A, 150V, 0.300 Ohm,60W,165nS

RFP3055LE

N-MOS,60V,12A,53W,0.150 OHM