مرور محصولات بر اساس...

پارامترهای انتخاب شده

  • بازه قیمت: از 1,900 تا 30,610,000 ریال

پارامترهای قابل انتخاب

پر بازدیدترین محصولات
2CL75
36,930 ریال
آردوینو مگا 2560 - Genuino MEGA R3
لطفاً تماس بگیرید
Raspberry Pi
45,000,000 ریال
20F001N
72,270 ریال

Mosfet

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)

IRFP31N50L

N-MOS,500V,31A,460W,0.15 ohm

IRFP3206PBF

N-MOS,60V,200A,280W,2.4m ohm

IRFP360

400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in

IRFP4110PBF

N-MOS,100V,180A,370W,3.7m ohm

IRFP4232PBF

N-MOS,250V,117A,430W,30m ohm

IRFP4368PBF

MOSFET MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg

IRFP4568PBF

N-MOPS,150V,171A,517W,4.8m ohm,119nS

IRFP4668PBF

HEXFET Power MOSFET, 200V,130A, 520W, 8.0M oh

IRFP90N20DPBF

http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf

IRFP9240

P-MOS,200V,12A,150W,0.5 ohm

IRFPE50

N-MOS,800V,7.8A,190W,1.2 ohm

IRFPS37N50A

N-MOSFET, 500V 36 A, 0.13 ohm,446 W

IRFR120N

ماسفت منفي100ولت9.4آمپر48وات

IRFRC20

ترانزيستور منفي 600 ولت 2 آمپر 2.5 وات

IRFU020

N-MOS,50V,15A,42W,0.1 ohm

IRFU120N

N-MOS,100V,8.4A,50W,270m ohm

IRFU2405

N-MOS,55V,56A,110W,0.0118 ohm,130nS

IRFU5305

P-MOS,55V,28A,89W,66nS,0.065 ohm

IRFZ44NL

N-MOS,55V,49A,3.8W,17.5m ohm,44nS

IRFZ46NPBF

N-MOS,50V,50A,150W,24m ohm

IRL2203N

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a

IRL3103

http://www.irf.com/product-info/datasheets/da

IRL3705N

N-LOGL,55V,89A,170W,0.01 ohm

IRL3713

N-MOS,30V,260A,330W