مرور محصولات بر اساس...

پارامترهای انتخاب شده

  • بازه قیمت: از 1,900 تا 30,610,000 ریال

پارامترهای قابل انتخاب

پر بازدیدترین محصولات
2CL75
36,930 ریال
آردوینو مگا 2560 - Genuino MEGA R3
لطفاً تماس بگیرید
Raspberry Pi
45,000,000 ریال
20F001N
72,270 ریال

Mosfet

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)

IRFP4368PBF

MOSFET MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg

IRFP4232PBF

N-MOS,250V,117A,430W,30m ohm

IRFP4110PBF

N-MOS,100V,180A,370W,3.7m ohm

IRFP360

400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in

IRFP3206PBF

N-MOS,60V,200A,280W,2.4m ohm

IRFP31N50L

N-MOS,500V,31A,460W,0.15 ohm

IRFP3077PBF

N-MOS,75V,200A,340W,2.8m ohm

IRFP2907PBF

MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC

IRFP240

N-MOS,200V,20A,150W,0.18 ohm

IRFP23N50LPBF

N-MOS,500V,23A,370W,0.19 OHM

IRFP054

N-Channel 60V 70A,230W,160nS

IRFI840GLC

N-MOS,500V,8A,40W,0.8ohm

IRFI840

N-MOS,500V,8A,40W,0.8ohm

IRFI740G

http://www.digikey.com/product-detail/en/IRFI

IRFI1010N

N-MOS,55V,44A,47W,66nS

IRFF310

ترانزيستور منفي 400 ولت 1.35 آمپر 3600 اهم

IRFD9220

P-MOS,200V, 560mA, 1W, 1.5 OHM

IRFD9210

P-MOS,200V,0.4A,1W,3 ohm

IRFD9120

http://www.vishay.com/docs/91125/sihfd014.pdf

IRFD9110

N-MOS,100V,0.7A,1.3W,1.2 ohm

IRFD9014

http://www.vishay.com/docs/91136/sihfd901.pdf

IRFD320

N-MOS,400V,0.49A,1.8 ohm, 1.0W,48 mJ

IRFD210

N-MOS,200V,0.6A,1W,1.5 ohm

IRFD120PBF

Power Mosfet ;100 V, 1.3 A,0.27 Ohms ,1.3 W