مرور محصولات بر اساس...

پارامترهای انتخاب شده

  • بازه قیمت: از 1,900 تا 30,610,000 ریال

پارامترهای قابل انتخاب

پر بازدیدترین محصولات
2CL75
36,930 ریال
آردوینو مگا 2560 - Genuino MEGA R3
لطفاً تماس بگیرید
Raspberry Pi
45,000,000 ریال
20F001N
72,270 ریال

Mosfet

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)

IRFB5615PBF

http://www.irf.com/product-info/datasheets/da

FS12UM-5

http://www.datasheetarchive.com/FS12UM-5-data

2SK1120

N-MOS,1000V,8A,150W,1.5 ohm

PHP32N06LT

N-MOS,60V,34A,97W,40m ohm

2SK2717

http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/tos

SPP11N60C2

N-CHANNEL,650V,11A,125W,40nS

2SK409

N-MOS,180V,2A,30W

AP4501GSD

N-MOS(40V,15A,28m ohm)+P-MOS( 40V,12A,42m ohm

SSF25N40A

N-MOS,400V,14.3A,100W,0.2 ohm

IRFB4212PBF

ترانزيستور منفي 100 ولت 18 آمپر 60 وات

APT5020BN

N-MOS-500V, 28A,360W, 0.2 ohm

STP9NB60FP

N-MOS,600V,5.2A,40W,750m ohm

BUK456-800A

PowerMOS transistor

STW11NB80

N-MOS,800V,11A,190W,0.65 ohm

FDP6030BL

N-MOS,30V, 40A ,60W,0.015ohm,23nS

VN1206M

N-MOS,120V,1A,6ohm,8nS

2SK1518

http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf

2SK3313

MOSFET N-ch 500V 12A 0.62 ohm

STP3NK100Z

MOSFET 1000V 5.4Ohm 2.5A Zener SuperMESH

IRFP054

N-Channel 60V 70A,230W,160nS

2SK2082-01

N-MOS,900V,9A,150W,1.4 ohm

IRF3415

N-MOS,150V,43A,200W,0.042 ohm

IRFD9110

N-MOS,100V,0.7A,1.3W,1.2 ohm

VNP5N07

http://www.st.com/web/en/resource/technical/d

STP5NK100Z

N-MOS,1000V,3.5A,125W,2.7 OHM

STW7NB80

N-MOS,800V,6.5A,160W,1.9 OHM

FS10KM16

N-MOS,150V,10A,170mOHM,100nS
قیمت: 326,200 ریال