مرور محصولات بر اساس...

پارامترهای قابل انتخاب

پر بازدیدترین محصولات
2CL75
36,930 ریال
آردوینو مگا 2560 - Genuino MEGA R3
لطفاً تماس بگیرید
Raspberry Pi
45,000,000 ریال
20F001N
72,270 ریال

Mosfet-SMD

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)

STS4DNF60L

ماسفت منفي60ولت4آمپر2وات

SI4925BDY

ماسفت 30 ولت 7.1 آمپر 2 وات

SSM9960M

https://wolfjes.home.xs4all.nl/imvu/SSM9960M

BST82

ماسفت منفي100ولت190ميلي آمپر0.83وات

FDN360P

ترانزيستور مثبت 30 ولت 3 آمپر 1.65 وات

AON6912A

http://www.aosmd.com/pdfs/datasheet/AON6912A.

FDS6676AS

ترانزيستور منفي30 ولت 14.5 آمپر 2.5 وات

RA60H1317M-E01

RF MOSFET Transistors
قیمت: 15,050,300 ریال

AO4718

ماسفت منفي30ولت15آمپر3.1وات

FDC6420C

ماسفت دوتايي مثبت ومنفي آمپر20ولت0.96وات

IPD09N03LA

ترانزيستور منفي 25 ولت 50 آمپر 63 وات

IRF2807S

ترانزيستور منفي 75 ولت 82 آمپر 13 اهم

BUZ357

http://html.alldatasheet.com/html-pdf/45014/S

VN10KM

http://81.233.9.161:800/_pdf/transistors/VN10

FQPF13N50C

http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf

MMBFJ270

ماسفت مثبت30ولت50ميلي آمپر225ميلي وات

FDV301N

ماسفت منفي25ولت0.22آمپر0.35وات

IRFTS8342PBF

ماسفت منفي30ولت8.2آمپر2.0وات

SPP21N10

http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/inf

FQP17P10

https://www.fairchildsemi.com/datasheets/FQ/F

2SK3645

http://www.americas.fujielectric.com/sites/de

APM2509N

N-MOS-25V, 60A,50W, 8m ohm,7nS

STB35NF10

N-MOS,100V,150W,40A ,0.030 ohm,82nS
قیمت: 396,100 ریال

SVF12N65F

http://e-neon.ru/user_img/catalog_datasheets/