مرور محصولات بر اساس...

پارامترهای انتخاب شده

  • بازه قیمت: از 1,900 تا 3,600,000 ریال

پارامترهای قابل انتخاب

پر بازدیدترین محصولات
2CL75
36,930 ریال
آردوینو مگا 2560 - Genuino MEGA R3
لطفاً تماس بگیرید
Raspberry Pi
45,000,000 ریال
20F001N
72,270 ریال

Mosfet

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)

HFA9N90

900V, 9A N-Channel MOSFET

HGTP15N50C1

N-MOS,500V,12A,75W

HUF75542P3

N-MOS,80V,75A,230W,0.014 ohm

HUFA75842P3

N-MOS,150V,43A,230W

IHW40T120

IGBT-1200V,40A,270W

IPA60R125CP

http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPA60R1

IPP023NE7N3 G

N-MOS,75V,120A,300W,2.3m OHM

IPW65R037C6

CoolMOS™ C6 MOSFET,650V,279A,0.037ohm

IPW65R080CFD

CoolMOS™ CFD Power Transistor,650V ,10A, 0.08

IRF1404PBF

N-MOS,55V,169A,330W,5.3m ohm

IRF1405PBF

N-MOS,55V,169A,330W,5.3m ohm

IRF1407

N-MOS,75V,130A,330W,0.0078ohm

IRF250

N-MOS,200V,30A,150W

IRF2804L

N-MOS,40V,75A,330W,2m Ohm

IRF2804PBF

N-MOS,40V,75A,330W,2m Ohm

IRF3415

N-MOS,150V,43A,200W,0.042 ohm

IRF350

N-MOS,400V,15A,150W

IRF3710

N-MOS,100V,57A,200W,23m ohm

IRF3710ZPBF

N-MOS,100V,57A,200W,23m ohm

IRF3808

N-MOS , 75V, 0.007ohm,140A, 330W

IRF510

N-MOS,100V,5.6A,43W,0.54 ohm

IRF520

N-MOS,100V,9.2A, 0.27ohm,60W

IRF5210PBF

ترانزيستور مثبت 100 ولت 40 آمپر 200 وات

IRF5305PBF

P-MOS,55V,31A,110W,0.06 ohm

IRF530NPBF

N-MOS,100V,14A,88W,0.115 ohm