مرور محصولات بر اساس...

پارامترهای قابل انتخاب

پر بازدیدترین محصولات
2CL75
36,930 ریال
آردوینو مگا 2560 - Genuino MEGA R3
لطفاً تماس بگیرید
Raspberry Pi
45,000,000 ریال
20F001N
72,270 ریال

IGBT

ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق‌شده یا IGBT (کوتاه شده عبارت انگلیسی Insulated gate bipolar transistor) جز نیمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده میشود. این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله خودروهای برقی، قطار، یخچال ها، تردمیل، دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده هااستفاده میشود. همچنین در ساخت انواع اینورترها،ترانسهای جوش و UPS کاربرد دارد.

در فرکانسهای بالای کلیدزنی از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده میشود. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی‌کند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید میکند.به همین سبب در فرکانس کلیدزنی بالا از المان کم مصرف power MOSFET استفاده میشود. اما با بالا رفتن قدرت،تلفات آن نیز زیاد میشود.المان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای 2قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.این قطعه جدید IGBT نام دارد.در طی سالهای اخیر بدلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.

IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید و کاملاً صنعتی است که از ترکیب 2 نوع ترانزیستور BJT و MOSFET ساخته شده است.بطوریکه از دید ورودی شما یک MOSFET را میبینید و از نظر خروجی یک BJT. BJTها و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل میکنند.

BJTها در حالت روشن(وصل) دارای تلفات هدایتی کمتری هستند درحالیکه زمان سوئیچینگ آنها به خصوص در زمان خاموش شدن طولانی تر است. MOSFETها قادرند که به مراتب سریعتر قطع و وصل کنند بنابراین تلفات هدایت آنها بیشتر است. IGBT یک ترانزیستوری است که مزایای BJT و MOSFET را باهم دارد مثل:

  • امپدانس ورودی بالا مثل MOSFET
  • افت ولتاژ و تلفات کم مانند BJT
  • نظیر BJT دارای ولتاژ حالت روشن(وصل) کوچکی است.

اسامی پایه ها هم از روی همان اسامی قبلی انتخاب شده G از MOSFET و C,E از ترانزیستورهای BJT.در نتیجه با این ترکیب ساده شما المانی را استفاده میکنید دارای امپدانس بالای گیت و قابلیت تحمل ولتاژ بالا است.سرعت سوییچ کردن این نوع دارای محدودیت بوده بطور نمونه 1KHz تا 50KHz که در کل بین دو نوع BJT و MOSFET قرار میگیرد.و بخاطر امپدانس ورودی بسیار بالایی که دارد بسیار حساس می باشد.و بیشتر در کوره های القایی برای تقویت دامنه ولتاژ استفاده میشود. و در کل مورد استفاده این نوع ترانزیستورها بیشتر برای راه اندازی المانهای توان بالا می باشد.مهمترین و تقریباً تنها کارایی IGBT سوییچینگ جریانهای بالا میباشد.

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)

SKM400GB128D

IGBT Modules
قیمت: 27,868,300 ریال

SKIIP38NAB12T4V1

http://www.semikron.com/products/product-clas

SKIIP22NAB12

http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheets2/2

SKM200GB12V

IGBT Modules
قیمت: 26,644,100 ریال

FZ1200R33KF2C

IGBT-3300,2000A,14.5KW,10uS

FP15R12W1T4-B11

IGBT Modules
قیمت: 25,996,000 ریال

SK35GD126ET

IGBT Modules
قیمت: 25,978,000 ریال

SKM200GB12E4

IGBT Modules
قیمت: 25,924,000 ریال

PM20CSJ060

http://www.aobo-igbt.com/index.php?m=Product&

SKM195GB126D

Trench IGBT Modules,1200V,150A

7MBP75RA060

https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&q=&esrc

CM500HA-34A

www.pwrx.com/pwrx/docs/cm500ha_34a.pdf

SKM22GD123D

http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/120455/SEMIKRON/SKM22GD123D.html

BSM50GD120DN2

http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/vi

6MBP20VAA060-50

IGBT MODULE 600V-20A-IPM

FP15R12KE3

IGBT-1200V,27A,89W

BSM50GD120DLC

http://www.mouser.com/ProductDetail/Infineon/

VUB72-16NO

Three phase rectifier bridge with brake chopp

7MBI40N-120

IGBT Modules
قیمت: 23,331,600 ریال

PS12034-Y2

IGBT-IPM-1200V,10A

SKIIP12AC126V1

IGBT,1200V,28A,47ohm,20nS

FP10R06KL4

IGBT,600V, 16A,55W,0.025uS

6MBI50L-120

IGBT Modules
قیمت: 21,891,400 ریال

FP25R12KE3

IGBT Modules 1200V 25A PIM

7MBR50SB120

IGBT Modules
قیمت: 20,523,200 ریال

7MBR100SB060-01

IGBT Modules
قیمت: 20,523,200 ریال

SKIIP11NAB126V1

IGBT-3-PHASE,1200V,19A

SKM200GB123D

IGBT Modules
قیمت: 19,983,100 ریال