مرور محصولات بر اساس...

پارامترهای قابل انتخاب

پر بازدیدترین محصولات
20F001N
72,270 ریال
آردوینو مگا 2560 - Genuino MEGA R3
لطفاً تماس بگیرید
آردوینو لئوناردو
لطفاً تماس بگیرید
AM2305
3,196,100 ریال

IGBT

ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق‌شده یا IGBT (کوتاه شده عبارت انگلیسی Insulated gate bipolar transistor) جز نیمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده میشود. این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله خودروهای برقی، قطار، یخچال ها، تردمیل، دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده هااستفاده میشود. همچنین در ساخت انواع اینورترها،ترانسهای جوش و UPS کاربرد دارد.

در فرکانسهای بالای کلیدزنی از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده میشود. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی‌کند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید میکند.به همین سبب در فرکانس کلیدزنی بالا از المان کم مصرف power MOSFET استفاده میشود. اما با بالا رفتن قدرت،تلفات آن نیز زیاد میشود.المان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای 2قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.این قطعه جدید IGBT نام دارد.در طی سالهای اخیر بدلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.

IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید و کاملاً صنعتی است که از ترکیب 2 نوع ترانزیستور BJT و MOSFET ساخته شده است.بطوریکه از دید ورودی شما یک MOSFET را میبینید و از نظر خروجی یک BJT. BJTها و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل میکنند.

BJTها در حالت روشن(وصل) دارای تلفات هدایتی کمتری هستند درحالیکه زمان سوئیچینگ آنها به خصوص در زمان خاموش شدن طولانی تر است. MOSFETها قادرند که به مراتب سریعتر قطع و وصل کنند بنابراین تلفات هدایت آنها بیشتر است. IGBT یک ترانزیستوری است که مزایای BJT و MOSFET را باهم دارد مثل:

  • امپدانس ورودی بالا مثل MOSFET
  • افت ولتاژ و تلفات کم مانند BJT
  • نظیر BJT دارای ولتاژ حالت روشن(وصل) کوچکی است.

اسامی پایه ها هم از روی همان اسامی قبلی انتخاب شده G از MOSFET و C,E از ترانزیستورهای BJT.در نتیجه با این ترکیب ساده شما المانی را استفاده میکنید دارای امپدانس بالای گیت و قابلیت تحمل ولتاژ بالا است.سرعت سوییچ کردن این نوع دارای محدودیت بوده بطور نمونه 1KHz تا 50KHz که در کل بین دو نوع BJT و MOSFET قرار میگیرد.و بخاطر امپدانس ورودی بسیار بالایی که دارد بسیار حساس می باشد.و بیشتر در کوره های القایی برای تقویت دامنه ولتاژ استفاده میشود. و در کل مورد استفاده این نوع ترانزیستورها بیشتر برای راه اندازی المانهای توان بالا می باشد.مهمترین و تقریباً تنها کارایی IGBT سوییچینگ جریانهای بالا میباشد.

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)

1750A311A

Power Modules IGBT
قیمت: 15,122,400 ریال

1D600A-030

Power Modules IGBT
قیمت: 54,008,300 ریال

1MBH60-100

IGBT-1000V,60A,260W

1MBH60D-100

IGBT-1000V,60A,260W

1MBI800U4B-120

IGBT-1200V,1200A,4800W

2MBI400N-060

IGBT-600V ,400A 1500W

2MBI75U4A-120

IGBT-1200V,75A,400W

6DI50A-060

IGBT-600V,50A,1860W

6MBI10GS-060

IGBT-600V,10A,45W

6MBI15GS-060

IGBT-600V,15A,60W

6MBI25GS-060

IGBT-600V,15A,60W

6MBI30F-060

IGBT-600V,30A,120W

6MBI75FA-060

IGBT-600V,75A,290W

6MBP20VAA060-50

IGBT MODULE 600V-20A-IPM

6MBP30RH-060

IGBT-600V,30A,85W

7MBP75RA060

https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&q=&esrc

7MBR15NF120

http://www.galco.com/techdoc/fuji/7mbr15nf120

7MBR35SD120

IGBT-1200V,35A,180W

AP30G120ASW

http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/vi

BSM10GP120

IGBT-1200V,10A,100W

BSM30GP60

IGBT-600V,30A,180W

BSM50GD120DLC

http://www.mouser.com/ProductDetail/Infineon

BSM50GD120DLC

http://www.mouser.com/ProductDetail/Infineon/

BSM50GD120DN2

http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/vi