مرور محصولات بر اساس...

پارامترهای قابل انتخاب

پر بازدیدترین محصولات
20F001N
72,270 ریال
آردوینو مگا 2560 - Genuino MEGA R3
لطفاً تماس بگیرید
آردوینو لئوناردو
لطفاً تماس بگیرید
AM2305
3,196,100 ریال

Mosfet

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)

2N4351

http://www.linearsystems.com/assets/media/fil

2N5461

P-MOS-40V, 10mA, 350mW

2N5485

N-MOS-MOS-RF,25V,10mA

2N6764

N-CHANNEL MOSFET Qualified

2N6845

P-MOS,100V,4A,20W

2N7000

N-MOS,60V,0.2A,0.4W,5 ohm

2N7000

N-MOS,60V,0.2A,0.4W,5 ohm

2SJ127G

POWER TRANSISTOR

2SJ196

P-MOS,60V,1A,0.75W,1 ohm

2SJ222

P-MOS,100V,20A,35W,0.16 ohm

2SJ256

P-MOS,30V,18A,30W,75m ohm

2SJ263

P-MOS,60V,24A,2W,270m ohm

2SJ380

http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/tos

2SJ477-01MR

P-MOS,60V,25A,40W,100m ohm

2SJ602

P-LOGL,60V,20A,40W,107m ohm

2SJ657

http://html.alldatasheet.com/html-pdf/155392/

2SK1008

N-MOS,500V,4.5A,60W,2.2 ohm

2SK1082

http://html.alldatasheet.com/html-pdf/60798/F

2SK1083

N-MOS,60V,8A,20W,0.22 ohm

2SK1120

N-MOS,1000V,8A,150W,1.5 ohm

2SK1120

N-MOS,1000V,8A,150W,1.5 ohm

2SK1248

N-MOS,500V,10A,100W,700m ohm

2SK1317

N-MOS,1500V,7A,100W

2SK1359

N-MOS,1000V,5A,125W,3 ohm

2SK1365

MOSFET N-ch 1000V 7A 1.5 ohm

2SK1398

N-MOS,50V,0.1A,0.25W,20 ohm