مرور محصولات بر اساس...

پارامترهای قابل انتخاب

پر بازدیدترین محصولات
2CL75
36,930 ریال
آردوینو مگا 2560 - Genuino MEGA R3
لطفاً تماس بگیرید
Raspberry Pi
45,000,000 ریال
20F001N
72,270 ریال

IGBT

ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق‌شده یا IGBT (کوتاه شده عبارت انگلیسی Insulated gate bipolar transistor) جز نیمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده میشود. این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله خودروهای برقی، قطار، یخچال ها، تردمیل، دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده هااستفاده میشود. همچنین در ساخت انواع اینورترها،ترانسهای جوش و UPS کاربرد دارد.

در فرکانسهای بالای کلیدزنی از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده میشود. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی‌کند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید میکند.به همین سبب در فرکانس کلیدزنی بالا از المان کم مصرف power MOSFET استفاده میشود. اما با بالا رفتن قدرت،تلفات آن نیز زیاد میشود.المان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای 2قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.این قطعه جدید IGBT نام دارد.در طی سالهای اخیر بدلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.

IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید و کاملاً صنعتی است که از ترکیب 2 نوع ترانزیستور BJT و MOSFET ساخته شده است.بطوریکه از دید ورودی شما یک MOSFET را میبینید و از نظر خروجی یک BJT. BJTها و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل میکنند.

BJTها در حالت روشن(وصل) دارای تلفات هدایتی کمتری هستند درحالیکه زمان سوئیچینگ آنها به خصوص در زمان خاموش شدن طولانی تر است. MOSFETها قادرند که به مراتب سریعتر قطع و وصل کنند بنابراین تلفات هدایت آنها بیشتر است. IGBT یک ترانزیستوری است که مزایای BJT و MOSFET را باهم دارد مثل:

  • امپدانس ورودی بالا مثل MOSFET
  • افت ولتاژ و تلفات کم مانند BJT
  • نظیر BJT دارای ولتاژ حالت روشن(وصل) کوچکی است.

اسامی پایه ها هم از روی همان اسامی قبلی انتخاب شده G از MOSFET و C,E از ترانزیستورهای BJT.در نتیجه با این ترکیب ساده شما المانی را استفاده میکنید دارای امپدانس بالای گیت و قابلیت تحمل ولتاژ بالا است.سرعت سوییچ کردن این نوع دارای محدودیت بوده بطور نمونه 1KHz تا 50KHz که در کل بین دو نوع BJT و MOSFET قرار میگیرد.و بخاطر امپدانس ورودی بسیار بالایی که دارد بسیار حساس می باشد.و بیشتر در کوره های القایی برای تقویت دامنه ولتاژ استفاده میشود. و در کل مورد استفاده این نوع ترانزیستورها بیشتر برای راه اندازی المانهای توان بالا می باشد.مهمترین و تقریباً تنها کارایی IGBT سوییچینگ جریانهای بالا میباشد.

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)

SKB06N60

http://www.datasheetspdf.com/PDF/SKB06N60/607443/1

SKHI24R

Power Management Modules
قیمت: 57,608,800 ریال

SKIIP11HEB063T1

IGBT Modules
قیمت: 45,907,100 ریال

SKIIP11NAB065V1

IGBT Modules
قیمت: 11,665,800 ریال

SKIIP11NAB126V1

IGBT Modules
قیمت: 12,962,000 ریال

SKIIP11NAB126V1

IGBT-3-PHASE,1200V,19A

SKIIP11NEB063T15

IGBT-3-PHASE,600V,17A,55m ohm,40nS
قیمت: 10,081,600 ریال

SKIIP12AC126V1

IGBT,1200V,28A,47ohm,20nS

SKIIP12NAB126V20

IGBT Modules
قیمت: 17,102,700 ریال

SKIIP21NAB12

IGBT-3-PHASE,1200V,16A

SKIIP22NAB12

http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheets2/2

SKIIP23NAB126V10

IGBT-3-PHASE,1200V,41A

SKIIP24NAB125T12

IGBT-MODULE 3-PHASE

SKIIP31NAB12T16

IGBT-3-PHASE,1200V,45A

SKIIP32NAB12T1

http://www.sindopower.cn/out/media/ds/SEMIKRO

SKIIP32NAB12T1

IGBT,3-PHASE,1200V,65A

SKIIP32NAB12T7

IGBT Modules
قیمت: 40,830,300 ریال

SKIIP37AC125V20

IGBT Modules
قیمت: 41,964,500 ریال

SKIIP38NAB12T4V1

http://www.semikron.com/products/product-clas

SKM100GAL12T4

IGBT Modules
قیمت: 14,820,000 ریال

SKM100GB123D

IGBT-1200V,90A,690W

SKM150GB123D

http://uk.rs-online.com/web/p/igbt-transistor

SKM195GB126D

Trench IGBT Modules,1200V,150A

SKM200GB123D

IGBT Modules
قیمت: 19,983,100 ریال

SKM200GB12E4

IGBT Modules
قیمت: 25,924,000 ریال

SKM200GB12V

IGBT Modules
قیمت: 26,644,100 ریال