مرور محصولات بر اساس...

پارامترهای انتخاب شده

  • بازه قیمت: از 1,900 تا 3,600,000 ریال

پارامترهای قابل انتخاب

پر بازدیدترین محصولات
2CL75
36,930 ریال
آردوینو مگا 2560 - Genuino MEGA R3
لطفاً تماس بگیرید
Raspberry Pi
45,000,000 ریال
20F001N
72,270 ریال

Mosfet

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)

APT6030BVR

N-MOS,600V,21A,300W,0.3 ohm

BS107

N-LOGL,200V,0.25A,0.35W,14 ohm

BS108

N-LOGL,200V,0.25A,0.35W,10 ohm

BS170

N-LOGL,60V,0.5A,0.83W,5 ohm

BS250

P-MOS, 45V,0.25A,0.83W,9 OHM

BS270

N-MOS,60V,0.4A,0.62W,2 ohm

BSN274

N-MOS,270V,250mA,1W,8 ohm

BSN304A

N-MOS,300V,250mA,1W,8 ohm

BSS125

N-MOS,600V-0.1A,1W,45 OHM

BSS89

N-LOGL,240V,0.3A,1W, 6 ohm

BSS92

P-LOGL,240V,0.15A,1W,20 ohm

BTS132

http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/inf

BUK102-50GS

N-MOS,50V,50A,125W,28m ohm

BUK456-800A

PowerMOS transistor

BUK553-100A

N-LOGL,100V,13A,75W,0.22 ohm

BUK9575-100A

N-MOS,100V, 23A, 98W,72m Ohms ,57nS

BUZ10

N - CHANNEL 50V - 0.06W - 23A

BUZ100SL

http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/inf

BUZ101L

SIPMOS ® Power Transistor

BUZ305

N-MOS,800V,7.5A,150W,1 ohm

BUZ341

ترانزيستور منفي200 ولت 33 آمپر 170 وات

BUZ72AL

N-Channel,100V,9A,40w,0.25ohm

BUZ80A

N-MOS,800V,3.6A,100W,3 ohm

BUZ90A

N-MOS,600V,4.5A,75W,2 ohm

DN2540N3-G

N-MOS,400V, 120mA, 1W, 25 ohm,15nS

F9222L

N-MOS,500V,0.6 OHM